遇到技术难题内容：

1. 主要内容： 主要技术难题： a：高阻厚外延层的生长技术，电阻率在10～50Ω.cm ，厚度在20～50μm。 b：版图的设计，其中元胞的几何尺寸布局和结构在很大程度上决定了器件的性能参数、芯片的大小和经济效益。 c：由于一个管芯是由许多元胞并联而成，一个芯片所占面积较大，由此大面积设计对工艺要求很高，一个芯片中只要有一个元胞出现缺陷，就会致管芯失效。成品率做高难度大，对制造工艺技术和控制要求很高，要求成品率在85%以上。 d：背面金属化技术，它影响到器件的热阻和稳定性、可靠性。是Power MOSFET生产技术上比较关键的技术。 e：开发并生产400V˜˜800V的MOSFET系列产品2. 技术经济指标： 目前国内规模化生产的公司很少，绝大多数的Power MOSFET器件是国外进口产品，市场需求量很大，批量生产的利润空间相对较大，以月产1.5万片为例，月销售为1500万元，按最低15%的利润，月利润为225万元，年销售为1.8亿元，年利润为2700万元（已考虑市场价格的下降）。