主要内容： 通过该技术的研发，为大规模集成电路芯片SOS（Silicon on Sapphire）提供量产化、高质量的大尺寸蓝宝石抛光片。 技术指标： 1）一次抛光加工6寸晶片24片以上； 2）6寸晶片整盘厚度差≤7μm； 3）晶片表面粗糙度≤0.15nm； 4）翘曲度（BOW）≤10μm； 5）平整度（Warp）≤10μm； 6）无崩边；